TSMC baja precio del nodo de 3 nm para generar mayor interés

Y que este tendrá como objetivo principal compensar la reducción del pedidos que está empezando a sufrir el gigante taiwanés, y mejorar también el valor y el interés alrededor de dicho nodo.

La caída en la demanda de semiconductores no es el único problema con el que tiene que lidiar TSMC. El nodo de 3 nm de este gigante es, sin duda, uno de los nodos más avanzados del mundo, y la maquinaria necesaria para fabricar obleas de chips bajo ese nodo es abrumador, así que es lógico que el coste de cada oblea sea alto. Sin embargo, hay un detalle que juega un papel muy importante, y es la tasa de éxito por oblea.

Según las fuentes de esta información el nodo de 3 nm de TSM tiene una tasa de éxito por oblea inferior al 50%, lo que significa que menos de la mitad de los chips que se pueden obtener de una oblea son funcionales. Esto encarece el coste real de acceso a este nodo, y afecta negativamente al valor real que ofrece a los clientes.

Es cierto, no obstante, que el salto a los 3 nm promete un aumento de la densidad lógica del 60% y entre una mejora de la eficiencia de entre 30% y un 35%, pero con un coste por oblea de 20.000 dólares y una tasa de éxito tan baja está claro que la relación coste-rendimiento por oblea está lejos de ser buena.

Ahí es donde entra en juego esa reducción del precio de cada oblea. Para atraer a sus clientes más importantes (AMD, NVIDIA, Apple, MediaTek y Qualcomm, entre otros), TSMC reducirá el coste de las obleas de 3 nm, un movimiento que unido a la maduración gradual del nodo de 3 nm, y al correspondiente aumento de la tasa de éxito por oblema, acabará siendo clave para acelerar el salto a dicho nodo.

La compañía taiwanesa no tiene más opción, ya que al final el nodo de 5 nm sigue siendo una opción para muchos grandes que podrían incluso plantearse volver a utilizar ese nodo en sus futuros productos. AMD, por ejemplo, utilizó el nodo de 7 nm en varias ocasiones, y en NVIDIA no tuvieron reparos en utilizar los nodos de 12 nm y de 8 nm.