Si en memorias estamos viendo la vuelta de DDR4, DDR3 (e incluso se está moviendo DDR2), en almacenamiento (amén de recuperar los discos duros) la propuesta parece ser también volver al pasado.
Mientras que la IA promete ser lo más más de lo más y la revolución de las revoluciones, todo el resto del mercado electrónico pasa por una involución preocupante. En vez de aumentar la producción de memorias, apostar por un desarrollo sostenible de la IA y no acordar precios para subir los beneficios, la respuesta de la industria no puede ser volver a estándares anteriores empeorando el rendimiento, la capacidad y la experiencia de usuario. Pero así de terrible está la situación...
Rebajar el precio de SSD con peores productos
Samsung parece estar preparando una nueva unidad SSD NVMe PCIe 4.0 de gama de entrada, diseñada para reducir los costos de fabricación al eliminar la caché DRAM integrada. En su lugar, la unidad utiliza la tecnología Host Memory Buffer (HMB), que emplea una pequeña porción de la RAM del sistema anfitrión para almacenar tablas de mapeo y metadatos que normalmente gestiona la DRAM dedicada de la SSD.
Esta unidad, aún no anunciada, apareció después de que Samsung publicara brevemente una página de producto en su sitio web. Según las especificaciones indicadas, la SSD M.2 NVMe ofrece una capacidad de 1 TB con velocidades de lectura secuencial de hasta 7150 MB/s y velocidades de escritura secuencial de hasta 6450 MB/s. Estas cifras de rendimiento la sitúan cerca de muchas SSD PCIe 4.0 convencionales, a pesar de su diseño económico.
Samsung no ha revelado qué tecnología de memoria flash NAND utiliza, pero una de sus características nos revela la pista. La unidad tiene una clasificación de 400 TBW (Total Bytes Written), una cifra de resistencia relativamente modesta para una SSD de 1 TB. Esto podría indicar el uso de memoria flash NAND QLC, que almacena cuatro bits por celda de memoria. La tecnología QLC reduce los costos de fabricación y aumenta la densidad de almacenamiento, aunque generalmente ofrece menor durabilidad y rendimiento de escritura sostenida que la memoria NAND de celda de triple nivel (TLC). Esta tecnología sigue siendo significativamente menos duradera que las tecnologías más antiguas de celda de múltiples niveles (MLC) y celda de un solo nivel (SLC).
La omisión de la DRAM integrada es otra medida importante para ahorrar costes. Las unidades SSD tradicionales incluyen DRAM dedicada para almacenar la capa de traducción de memoria flash (FTL), lo que permite al controlador localizar rápidamente los datos en la memoria flash NAND. Sin DRAM, las unidades pueden experimentar una mayor latencia y un rendimiento reducido durante cargas de trabajo sostenidas o multitarea intensiva.
La decisión de Samsung se produce en un momento en que los precios de la memoria flash NAND y la DRAM siguen aumentando en todo el sector del almacenamiento. Ciertamente, eliminar el encapsulado de la DRAM reduce los costes de los componentes, disminuye la complejidad de la placa de circuito impreso y ayuda a los fabricantes a mantener precios competitivos en el segmento de las unidades SSD convencionales.
No nos malinterpretes. La gama de entrada y media sigue usando mayoritariamente las SSD Gen4 y su rendimiento es suficiente para la mayoría de tareas. Pero no nos gusta el enfoque que está tomando la industria como solución al MEMOpocalipsis y el lanzamiento de «nuevas» unidades con tecnologías más antiguas. Gen5 lleva mucho tiempo en el mercado y PCIe 6.0 ya debería haber llegado al mercado. Rebajar el precio de SSD es posible y necesario, simplemente con un desarrollo sostenible de la IA para no alimentar una burbuja que está destrozando el mercado tecnológico.