El nodo Intel 3, anteriormente conocido como el nodo de 5 nm del gigante del chip, representa uno de los avances más importantes de la compañía en lo que a fabricación de semiconductores se refiere, y es también uno de los saltos más complicados que ha tenido que afrontar el gigante de Santa Clara hasta el momento.
Antes de nada quiero explicaros por qué el nodo Intel 3 se identifica con ese número y no con un 5. Es un tema muy fácil de entender, y es que aunque es cierto que se utiliza un proceso de fabricación de 5 nm la densidad de transistores que alcanza Intel es tan alta que supera en densidad de transistores al nodo de 3 nm de TSMC.
Obvia decir que al integrar una mayor densidad de transistores no solo aumenta la complejidad del diseño de un chip en concreto, sino que además se incrementan las posibilidades de que surjan defectos, y con ello se hace más difícil su viabilidad a nivel de oblea y se incrementan los costes. Por tanto, cuando hablamos de fabricación de semiconductores no solo importa el nodo, también es clave la densidad de transistores.
Según ha confirmado el gigante del chip el desarrollo del nodo Intel 3 avanza según lo previsto. En el segundo trimestre de este año lograron cumplir su objetivo en materia de densidad y rendimiento, y de momento están en el camino correcto para poder alcanzar sus metas de rendimiento y de tasa de éxito por oblea.
Esto quiere decir que, salvo que se produzca algún problema, este proceso de fabricación estará listo para entrar en fase de producción en masa justo a tiempo para dar vida a su próxima generación de procesadores, cuyo lanzamiento está previsto para el año que viene.
Se espera que el nodo Intel 3 permita alcanzar una mejora de rendimiento por vatio del 18% frente al nodo Intel 4 que, os recuerdo, sigue siendo un nodo de 7 nm a pesar de lo que su nombre indica, aunque en este caso se trata de una versión mejorada. Sabemos que Intel Granite Rapids utilizarán este nuevo nodo, y que en teoría llegarán en algún momento de 2024.